Etazonia dia manamboatra fitaovana semiconductor miaraka amin'ny conductivity mafana avo lenta mba hanakanana ny fanafanana chip.
Miaraka amin'ny fitomboan'ny isan'ny transistors ao amin'ny chip, ny informatika fampisehoana ny solosaina dia mitohy mihatsara, fa ny avo densification ihany koa ny mamokatra toerana mafana maro.
Raha tsy misy teknolojia fitantanana mafana mafana, ankoatra ny fampihenana ny hafainganam-pandehan'ny processeur sy ny fampihenana ny fahamendrehana, dia misy ihany koa ny antony Misoroka ny hafanana ary mitaky angovo fanampiny, miteraka olana amin'ny tsy fahampian'ny angovo. Mba hamahana ity olana ity, ny University of California, Los Angeles dia namolavola fitaovana semiconductor vaovao miaraka amin'ny conductivity mafana be dia be amin'ny taona 2018, izay ahitana boron arsenide sy boron phosphide tsy misy kilema, izay mitovy amin'ny fitaovana fanalefahana hafanana efa misy toy ny diamondra sy silisiôma carbide. ratio, miaraka amin'ny mihoatra ny in-3 ny conductivity mafana.
Tamin'ny Jona 2021, ny Oniversiten'i Kalifornia, Los Angeles, dia nampiasa fitaovana semiconductor vaovao mba hitambatra amin'ny poti-ordinatera mahery vaika mba hanakanana amim-pahombiazana ny famokarana hafanana amin'ny chips, ka manatsara ny fahombiazan'ny solosaina. Ny ekipa mpikaroka dia nampiditra ny boron arsenide semiconductor eo anelanelan'ny chip sy ny hafanana milentika ho toy ny fitambaran'ny hafanana milentika sy ny chip mba hanatsarana ny hafanana dissipation vokany, ary nanao fikarohana momba ny fitantanana mafana ny zava-bita ny tena fitaovana.
Taorian'ny famatorana ny substrate boron arsenide amin'ny elanelana angovo midadasika gallium nitride semiconductor, dia voamarina fa ny conductivity mafana amin'ny gallium nitride / boron arsenide interface dia avo hatramin'ny 250 MW / m2K, ary ny fanoherana mafana amin'ny interface dia nahatratra haavo faran'izay kely. Ny substrate boron arsenide dia ampiarahina amin'ny chip transistor elektronika avo lenta avo lenta izay misy aluminium gallium nitride / gallium nitride, ary voamarina fa ny fiantraikan'ny hafanana dia tsara kokoa noho ny diamondra na silisiôma karbida.
Ny ekipan'ny mpikaroka dia nampiasa ny puce tamin'ny fahaiza-manao ambony indrindra, ary nandrefy ny toerana mafana manomboka amin'ny mari-pana ao amin'ny efitrano mankany amin'ny mari-pana ambony indrindra. Ny valin'ny fanandramana dia mampiseho fa ny mari-pana ao amin'ny diamondra heat sink dia 137 ° C, ny silisiôma carbide heat sink dia 167 ° C, ary ny boron arsenide heat sink dia 87 ° C ihany. Ny conductivity mafana tsara amin'ity interface ity dia avy amin'ny firafitry ny tarika phononic tsy manam-paharoa amin'ny boron arsenide sy ny fampidirana ny interface. Ny fitaovana arsenide boron dia tsy vitan'ny hoe manana conductivity mafana avo lenta, fa manana fanoherana mafana ihany koa.
Azo ampiasaina ho toy ny fantson-drano izy io mba hahazoana hery miasa amin'ny fitaovana avo kokoa. Antenaina fa hampiasaina amin'ny fifandraisana an-tariby tsy misy tariby lavitra lavitra izy io amin'ny ho avy. Azo ampiasaina amin'ny sehatry ny elektronika herinaratra avo lenta na fonosana elektronika.
Fotoana fandefasana: Aug-08-2022